G-33B4型高精密光刻機(jī)

產(chǎn)品介紹：

設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，主要用于集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、光學(xué)器件研制和生產(chǎn),由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)**，找平力小，使本機(jī)不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺(tái)雙面對(duì)準(zhǔn)單面曝光的光刻機(jī),它不僅能完成普通光刻機(jī)的任何工作,同時(shí)還是一臺(tái)檢查雙面對(duì)準(zhǔn)精度的檢查儀。

主要構(gòu)成

曝光頭及部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)

適用于5mm以下的各種基片)的對(duì)準(zhǔn)曝光。2.套刻精度高、速度快Z軸升降機(jī)構(gòu)和雙簧片微分離機(jī)構(gòu)，使本機(jī)片對(duì)版在分離接觸時(shí)漂移特小，對(duì)準(zhǔn)精度高，對(duì)準(zhǔn)速度快，從而提高了版的復(fù)用率和產(chǎn)品的成品率。

主要技術(shù)指標(biāo)<span style="font-family:;" "="">

（1） 高均勻性高壓直流球形汞燈曝光頭。

a、 采用350W直流球形汞燈；

b、 出射光斑≤φ117mm；

c、 光強(qiáng)≥5mw；

d、 光的不均勻性≤±3%；

e. 曝光時(shí)間采用0～999.9秒（日本OMRON生產(chǎn)）時(shí)間繼電器控制。

f. 對(duì)準(zhǔn)精度：±0.5μm  

g. 套刻精度：1μm  

（2） 觀察系統(tǒng)為上下各兩個(gè)無級(jí)變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個(gè)CCD攝像頭通過視屏線連接計(jì)算機(jī)到19″高清液晶顯視屏上。

a、 單筒顯微鏡為1.6X～10X連續(xù)變倍顯微鏡；

b、 CCD攝像機(jī)靶面對(duì)角線尺寸為：1/3″；

c、 采用19″液晶監(jiān)視器，其數(shù)字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d、 觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為：1.6×57=91倍（*小倍數(shù)）

10×57=570倍（*大倍數(shù)）；

（3）計(jì)算機(jī)硬軟件系統(tǒng)

a、鼠標(biāo)單擊“開始對(duì)準(zhǔn)”，能將監(jiān)視屏上的圖形記憶下來，并處理成透明的，以便對(duì)新進(jìn)入的圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)；

b、鼠標(biāo)雙擊左面或右面圖形，就分別全屏顯示左或右面圖形。

（4）非常特殊的板架裝置：

a、該裝置裝入 125×125板架，對(duì)版進(jìn)行真空吸附；

b、該裝置安裝在機(jī)座上，能圍繞A點(diǎn)作翻轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，相對(duì)于承片臺(tái)而言作上下翻轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，以便于上下版和上下片；

c、該裝置來回反復(fù)翻轉(zhuǎn)，回到承片臺(tái)上平面的位置，重復(fù)精度為≤±1.5μ；

d、該裝置具有補(bǔ)償基片楔形誤差之功能，版下平面與片上平面之良好接觸，以便提高曝光質(zhì)量。

（5）承片臺(tái)調(diào)整裝置：

a、 配備有Φ100承片臺(tái)一個(gè)，這種承片臺(tái)有二個(gè)長(zhǎng)方孔，下面二個(gè)CCD通過該孔能觀察到版或片的下平面；

b、 承片臺(tái)能作X、Y、Z、θ運(yùn)動(dòng)，X、Y、Z可作±5mm運(yùn)動(dòng)，θ運(yùn)動(dòng)為±5°；

c、 承片臺(tái)密著環(huán)相對(duì)于版，能實(shí)現(xiàn)“真空密著”：

真空密著力≤-0.05Mpa為硬接觸；

真空密著力≤-0.05Mpa～-0.02Mpa為軟接觸；

真空密著力≤-0.02Mpa為微力接觸；