G-25D6型高精密單面光刻機

一、主要用途:

本設備是我公司專門針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用特性研發的一種精密光刻機，它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產。

LED曝光頭及部件圖

三點找平機構高精度X、Y、Z、Q 調節機構

二、主要技術指標：

1、曝光類型：單面；

2、曝光面積：150×150mm；

3、曝光照度不均勻性： 150×150mm范圍內≤±3%；

不均勻性用紫外檢測計測量（UV-A型紫外輻照計）

測量5點（如圖）

4、曝光強度：≤30mw/cm2可調；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、采用電子快門；

9、曝光分辨率：2μm；

10、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

11、對準范圍：X、Y 調節 ±5mm；Q向調節±3°；

12、套刻精度：2μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、曝光方式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

15、找平方式：氣浮找平；

16、顯微系統：雙視場CCD系統，顯微鏡91X～570X連續變倍（物鏡1.6X～10X連續變倍），雙物鏡距離可調范圍50mm～120mm，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器；

17、掩模版尺寸： 7″×7″英寸；

18、基片尺寸：Φ6″一件;

19、基片厚度：≤5 mm；

因基片的厚度不同，制作承片臺時需要進行分級處理，單獨設計制作，1mm為一個等級(基片厚度:0-5mm可分為五個等級：0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中：我公司隨機配送厚度為0-1mm等級的承片臺，若用戶還需其余等級承片臺（訂貨時用戶須說明，費用另議）。

20、曝光定時：0～999.9秒可調；

21、電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤1.5KW；

22、潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

23、真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

24.設備所需能源：

主機電源： 220V±10%   50HZ，1.5KW。

潔凈空氣≥0.4MPα。

真空：-0.07～－0.08MPα。

25.G-26D型高精密光刻機的組成：

由LED紫外曝光頭、CCD顯微顯示系統、對準工作臺、電氣控制系統構成。