G-25D4型高精密光刻機

設備概述:

本設備是我公司專門針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用特性研發的一種精密光刻機，它 主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產。

主要構成
主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統、LED曝光頭、PLC電控系統、氣動系統、真空管路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。

主要功能特點

1.適用范圍廣
適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
2.結構穩定
具有氣浮式找平機構和可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構；具有真空掩膜版架、真空片吸盤。
3.操作簡便
采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實現真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調試、維護、修理 都非常簡便。
4.可靠性高
采用進口電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的機械零件，使本機具有非常高的可靠性。

5.特設功能
除標準承片臺外，還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

主要技術指標：

1、曝光類型：單面；配置4"LED專用曝光頭

2、曝光面積：110×110mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可調；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、采用電子快門；

9、曝光分辨率：1μm

10、顯微鏡掃描范圍：X： ±15mm   Y：±15mm；

11、對準范圍：X、Y 調節 ±4mm；Q向調節±3°；

12、套刻精度：1μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、曝光方式：接觸式曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

15、找平方式：氣浮找平；

16、掩模版尺寸：≤127×127mm；

17、基片尺寸：≤Φ102mm(或者102×102mm)；

18、基片厚度：≤5 mm；

19、曝光定時：0～999.9秒可調；