G-26型高精密光刻機

產品介紹：

設備概述:

本設備廣泛應用于進行批量生產的各大、中、小型企業，它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產,由于本機找平機構**，找平力小、使本機不僅適合各型基片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

CCD顯微顯示系統、高均勻性曝光頭、

曝光頭及部件圖

主要功能特點

150X150mm以下，厚度(包括非圓形基片

有真空掩膜版架、真空片吸盤，本機采用高均勻性的LED專用曝光頭，非常理想的三點式自動找平機構和穩定可靠的真空密著裝置，使本機的曝光分辨率大為提高。

采用版不動片動的下置式三層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產品的成品率。

采用進口（日本產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統、真空管路系統和

不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術指標<span style="font-family:;" "="">

1、曝光類型：單面；

2、曝光面積：150×150mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3.5%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波長：365nm（也可以配專用曝光頭實現g線、h線、I線的組合）；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃描范圍：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、對準范圍：X、Y粗調±3mm，細調±0.3mm；Q粗調±15°，細調±3°；

12、套刻精度：1μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、接觸－分離漂移：≤1μm；

15、曝光方式：接觸式曝光；

16、找平方式：三點式自動找平；

17、顯微系統：雙視場CCD系統，顯微鏡91X～570X連續變倍（物鏡1.6X-10X連續變倍），雙物鏡距離可調范圍50mm～100mm，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器；

18、掩模版尺寸： ≤152×152mm；

19、基片尺寸：≤Φ127mm（或者127×127mm）；

20、基片厚度：≤5 mm

21、曝光定時：0～999.9秒可調；